天津大学巩金龙&王拓，最新JACS！

背景：硅基金属-绝缘体-半导体（MIS）光电极在光电化学水分解中面临空间电荷区缺陷导致的载流子复合问题，原子层沉积（ALD）绝缘层对缺陷钝化至关重要，但传统单电容技术难以定量分析缺陷密度。研究目的：天津大学巩金龙和王拓教授团队开发了一种集成的多电容方法，结合驱动级电容分析和电容电压技术，以量化空间电荷区的界面和体缺陷电荷密度，并优化ALD沉积和退火工艺，实现高效钝化。结论：研究表明，Al2O3中间层能显著降低界面缺陷密度，在160 °C沉积和350 °C退火条件下达到最佳钝化效果，优化后的n-Si/SiOx/Al2O3/ITO/Ni光阳极起始电位为0.88 V，应用偏压光子电流效率达2.91%，并展现出120小时的长期稳定性，为设计高性能MIS光阳极提供了定制化方案。