反铁电材料研究获新突破：电极化拓扑与一维结构拓扑缺陷的强相互作用

背景：反铁电材料因其在介电储能、电致应变等领域的应用前景而备受关注，但其内部巨大的能量壁垒使得诱导极化连续旋转和构建新型极化拓扑结构成为难题。研究目的：探索晶体中的一维结构拓扑缺陷（位错）对反铁电材料电极化拓扑结构的调控能力，以突破传统瓶颈。结论：研究团队在锆酸铅薄膜中发现，位错周围的应变场能够自发诱导出有序的极性“反刺猬畴”四方晶格，首次证实了极性拓扑与结构拓扑缺陷间的强相互作用，并通过相场模拟揭示了电致伸缩与挠曲电效应的协同耦合机制。这一发现为缺陷工程调控材料功能提供了新范式，有望推动低功耗电子器件的发展。