段镶锋，Nature Materials！

背景：卤化铅钙钛矿（LHPs）因其优异的光电性能在光伏和发光器件领域极具潜力，但其软离子晶格和低本征载流子掺杂导致难以实现低电阻接触，常规金属沉积工艺会损伤界面，造成高接触电阻。研究目的：为解决钙钛矿界面接触电阻高和有效电荷掺杂难的问题，研究提出一种利用低能范德华集成工艺将银/金电极转移到单晶CsPbBr3薄膜上，通过退火和紫外处理形成Ag2O/CsPbBr3体异质结的接触掺杂策略。结论：该方法在接触区域诱导了约5×10¹⁷ cm⁻³的局部空穴密度，显著收缩了肖特基势垒，将接触电阻降至26–70 Ω cm，实现了高效的载流子注入，为钙钛矿高性能电子器件开发提供了新途径。