「国家杰青」翟天佑领衔！华科刘开朗/河北大学巩朋来Nature子刊 | 无机分子介电薄膜中电学惰性的范德华晶界！

本文背景关注多晶绝缘薄膜中晶界通常导致带隙中间态和绝缘性能退化的问题。研究目的在于探究三氧化二锑（Sb2O3）多晶无机分子薄膜（PIMF）为何能表现出优异的绝缘性能。通过变温电学测量、第一性原理计算和导电原子力显微镜表征，研究发现Sb2O3 PIMF中的晶界具有范德华结构，这种结构避免了键的断裂与重构，因此不产生带隙中间态，使得晶界呈现电学惰性，晶粒与晶界的电学行为不可区分，从而解释了薄膜具有超低漏电流的原因。结论表明，这一发现为无机分子薄膜作为栅介质在先进二维器件中的应用提供了理论基础。