研究透视：原子级表征-单电子晶体管成像G/hBN | Nature

背景：固体晶格中电子行为受原子级静电势影响，莫尔工程可在范德华异质结构界面调控周期性势能，但其直接成像一直难以实现。研究目的：以色列魏茨曼科学研究所团队旨在开发一种新型扫描探针技术，以实现对莫尔界面静电势的高分辨率、高灵敏度直接成像。结论：研究团队成功构建了原子级单电子晶体管，利用范德华材料中的单个原子缺陷作为电势传感器，实现了1纳米空间分辨率和55 μV/√Hz的灵敏度。该技术首次直接成像了石墨烯/六方氮化硼经典莫尔界面的静电势，发现电势具有近似C6对称性且振幅显著，超出理论预测，表明当前物理认知可能尚不完整。该技术为研究电荷序、对称性破缺相等广泛量子现象提供了强大工具。