北京大学，Science！

本文研究背景是铁电场效应晶体管（FeFETs）作为下一代嵌入式存储器候选，但面临铁电层厚度缩减至亚纳米尺度时出现的结构不均、性能退化及界面可靠性问题。研究目的是通过开发新型高κ范德华铁电氧化物硒氧化铋（α-Bi2SeO5），实现晶圆级均匀合成并与二维半导体Bi2O2Se单片集成，以克服传统瓶颈。结论表明，该方法制备的Bi2SeO5在单层厚度下保持稳定铁电性，基于其构建的FeFET阵列展现出小于5%的器件变异、超过10⁶的开/关比、0.8V超低操作电压、超过1.5×10¹²次的循环耐久性以及低能耗，满足了边缘计算和存算一体架构的严苛需求，为后摩尔时代存储与计算提供了新平台。