「国家杰青」何军领衔！武汉大学/纳米中心王振兴/王峰Nature子刊 | 金属碲用于二维MoTe\u2082场效应晶体管的p型接触！

背景：二维场效应晶体管（2D FETs）的n型接触制备已取得进展，但高性能p型接触的开发仍面临挑战，主要受限于高功函数金属沉积导致的晶格损伤、费米能级钉扎以及缺乏合适的高功函数半金属。研究目的：本文旨在通过一种兼容且可扩展的策略，利用金属相碲（m-Te）作为接触材料，解决二维MoTe₂ FETs中p型接触性能不佳的问题。结论：作者通过蒸发法在MoTe₂上生长出稳定的单斜相金属碲，形成了原子级尖锐的范德瓦尔斯界面。该界面实现了理想的能带排列，抑制了金属诱导带隙态，并通过空穴掺杂与碲空位补偿实现了无势垒空穴注入。基于此接触的双层MoTe₂ FETs表现出优异的电学性能，包括低接触电阻（1.6 kΩ·μm）、高开态电流（124 μA·μm⁻¹）和高开关比（10⁷），为高性能p型二维FETs的接触优化提供了有效新途径。