让微观磁针“整齐划一”，复旦大学最新Nature

背景：磁性材料是信息技术发展的关键，传统器件依赖铁磁材料，但反铁磁材料因其杂散场弱、动力学快等优势，被视为实现更高密度、更快速度存储器的潜力候选。然而，反铁磁体缺乏宏观磁化，其奈尔序的可靠调控是一大技术难题。研究目的：复旦大学研究团队旨在探索低维层间反铁磁体（如CrI3与CrSBr）的磁态调控特性，特别是寻找能够实现确定性整体切换的新型反铁磁材料，以解决反铁磁存储中的写入难题。结论：该研究在低维层间反铁磁体系中发现了一类“Stoner–Wohlfarth反铁磁体”，这类材料在外磁场下能像铁磁体一样展现出确定性的双稳态整体切换，而非传统的逐层翻转。团队利用多模态磁光显微技术观测到该现象，并完善了经典磁学理论来描述其机制。这项工作揭示了低维反铁磁体磁化翻转的关键因素，推动了反铁磁材料从基础研究走向实际应用（“可读可写”），为开发新一代低功耗、高速运算芯片提供了新路径。