北京大学廖志敏/王安琦研究团队Phys. Rev. Lett.:拓扑半金属中栅压可调的自旋开关效应与双线性磁电阻

背景：拓扑材料因其独特的电子能带结构和自旋-动量锁定特性，被视为发展高性能自旋电子器件的理想材料，但实现有效的自旋极化场效应开关面临挑战。研究目的：北京大学廖志敏、王安琦研究团队旨在通过表面工程策略，在拓扑半金属Cd3As2中实现栅压可调的自旋开关效应。结论：通过在Cd3As2表面引入金原子，诱导产生Rashba自旋劈裂态，与内禀拓扑表面态协同实现了自旋纹理的可控切换，获得了高达72000%的自旋开关比和栅压可调的双线性磁电阻效应，为拓扑自旋电子器件提供了新思路。