研究前沿：六方氮化硼hBN-单自旋缺陷，量子发射体 | Nature Materials

背景：固体中的光可读自旋缺陷是量子技术的关键硬件，但在六方氮化硼（hBN）中，可控、高性能的单自旋缺陷制备一直面临挑战。研究目的：澳大利亚研究团队旨在开发一种方法，在hBN中高密度生成具有清晰光探测磁共振（ODMR）信号、窄带宽且可光寻址的自旋缺陷。结论：通过单步氧气退火技术，成功在多层hBN和碳掺杂hBN中制备出此类缺陷，超过25%的发射体在室温下显示出ODMR活性，并同时呈现S=1和S=1/2两类自旋跃迁，其机制可用缺陷对间的电荷转移解释。该研究显著提升了可控自旋缺陷的生成效率，为构建二维材料中的单自旋-光子接口奠定了基础。