福州大学郑远辉课题组，Advanced Materials!

背景：随着高端显示、固态照明和可穿戴设备的发展，量子点发光二极管（QLED）成为研究热点，其中蓝光QLED是关键。ZnSe量子点是有前景的蓝光材料，但实现高色纯度、大尺寸且稳定的纯蓝光发射面临挑战。研究目的：通过Yb3+掺杂调控ZnSe量子点的晶体成核与生长，降低表面能，缓解ZnSe/ZnS核壳结构的界面应力，以制备高性能纯蓝光发射量子点。结论：成功合成了Yb: ZnSe/ZnS量子点，在453 nm处实现纯蓝色发射，光致发光量子产率达67.5%。基于此的QLED器件在455 nm处电致发光，外量子效率为1.35%，最大亮度1337.08 cd m−2，为无镉高性能纯蓝光QLED提供了重要技术支撑。