研究前沿：三星电子，二硫化钼MoS\u2082晶体管-芯片制造 | Nature Materials

背景：随着硅基晶体管逼近物理极限，二维半导体成为潜在替代方案，但其性能优势尚存疑问。研究目的：三星电子公司研究旨在通过优化双层二硫化钼场效应晶体管的栅极结构，在不增加工艺复杂度的情况下提升器件性能。结论：采用双栅结构有效抑制了边缘场势垒，实现了高载流子密度和1.55毫安/微米的漏极电流；模拟分析表明，通过微缩尺寸，其开态电流可达3纳米节点硅基晶体管水平，且单片三维集成技术有望拓展其未来应用。