上海大学张建华教授/张磊教授/王震宇副教授团队在Communications Materials发表晶圆级p型MoS\u2082掺杂调控重要成果

背景：二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）如二硫化钼（MoS₂）是新一代电子器件的重要候选材料，但高质量MoS₂通常表现为n型导电，稳定、可扩展的p型MoS₂的缺乏是构建二维互补逻辑电路和CMOS技术的核心瓶颈。研究目的：针对传统p型掺杂方法不均匀、可控性差、难以扩展的问题，研究团队旨在通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）实现晶圆级可控的p型MoS₂掺杂。结论：该研究成功在晶圆尺度上实现了通过铌（Nb）取代掺杂的高均匀性p型单层MoS₂薄膜，器件表现出由n型向p型的清晰转变，开关比达10⁴，良率约90%，并通过理论模型揭示了掺杂调控规律，为二维CMOS与低功耗电子器件奠定了关键材料基础。