研究进展：MIT，超导纳米线-存储芯片 | Nature Electronics

背景：可扩展的超导存储器是开发低功耗超导计算机和容错量子计算机的关键需求。传统超导存储单元存在面积大或错误率高的问题，难以大规模集成。研究目的：麻省理工学院的研究团队旨在开发一种结构紧凑、可扩展且具有低错误率的超导纳米线存储阵列。结论：该研究成功报道了一种4×4规格的超导纳米线存储阵列，采用氮化铌纳米线环结构，在1.3 K温度下工作，实现了多磁通量子态存储和行列寻址。通过优化读写脉冲，将比特错误率降至10⁻⁵，功能密度达到2.6 Mbit·cm⁻²，为构建高性能、低功耗的超导计算系统提供了重要进展。