研究进展：华中科技大学，拓扑手性分子结-手性诱导自旋选择性CISS | Nature Communications

背景：具有拓扑手性的分子结表现出优越的自旋选择性和高温稳定性，但其物理机制尚不明确。研究目的：华中科技大学的研究团队旨在为拓扑手性分子结中的手性诱导自旋选择性（CISS）现象建立理论框架，阐明其物理起源和关键条件。结论：通过理论建模和模拟，研究发现单个三叶结分子表现出超过60%的自旋极化率和显著电导率，且该性能对晶格离散化和结构应变不敏感。当分子结的拓扑手性退化为结构手性时，自旋极化率急剧下降，证明高效自旋选择性与分子的拓扑性质密切相关。该工作揭示了微观机制，为自旋电子器件设计提供了新原则。