彭练矛院士领衔！麻省理工姜建峰/孔静&北京大学刘一凡Nature子刊 | 高性能p型晶体管推动二维CMOS电子学的发展！
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2025-12-27 08:30
文章摘要
本文背景为二维半导体在后硅时代电子器件中实现互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的重要性，但二维p型与n型晶体管之间存在显著性能差距，阻碍了其工业应用。研究目的是探讨高性能二维p型晶体管的最新进展，提出优化策略与发展路线图，以弥合性能差距。结论指出，通过缺陷钝化、欧姆接触与高-k栅界面等协同优化，WSe2 p型晶体管有望突破性能瓶颈，实现与n型器件对称的高性能，推动亚纳米节点、低功耗超大规模集成电路的实用化发展。
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