YYDS!他,32岁获C9「国家杰青」,33岁成为最年轻「长江学者」,再发Nature大子刊!

顶刊收割机 2025-12-27 08:30
文章摘要
背景:随着晶体管尺寸微缩至ångström节点,接触长度减小到20纳米以下时,保持欧姆接触成为技术挑战。研究目的:南京大学王欣然教授、李卫胜副教授团队旨在开发适用于二维晶体管的可扩展欧姆接触技术,通过分子束外延在MoS2上外延生长晶体半金属锑触点,以提升晶体管性能。结论:研究成功制备了接触长度为18纳米时电阻为98 Ωµm的欧姆触点,并构建了栅极间距40纳米的场效应晶体管,单层、双层和三层MoS2通道的驱动电流分别达到0.85 mA µm-1、0.95 mA µm-1和1.08 mA µm-1。晶体管阵列统计分析证实晶体锑触点具有可重复性和稳定性,性能优于传统硅基和碳纳米管晶体管,满足高密度集成需求。
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