原子级制造：AI大模型呼唤你

本文从AI大模型对算力和存储的极致需求出发，分析了当前AI发展面临的“存储墙”核心瓶颈，即内存带宽增长远落后于算力增长，导致硬件资源浪费和性能受限。为突破此困境，文章指出高端芯片制造必须转向新的范式，重点探讨了“原子级制造”技术在两个关键领域的应用：一是用于高带宽内存（HBM）封装的混合键合技术，要求对铜焊盘形貌和介质层粗糙度进行原子级精度控制；二是用于实现单片3D DRAM的原子层沉积（ALD）和原子层刻蚀（ALE）等工艺，以构建高密度垂直堆叠结构。文章结论强调，人类对智能的无限追求正驱动半导体制造向三维堆叠和原子尺度重构演进，而与之匹配的高通量、高精度的先进量测技术，是确保原子级制造走向大规模产业化的关键。