超纯长半导体性碳纳米管分离制备 | 进展

本文背景介绍了半导体碳纳米管因其优异的电学性能，被视为后摩尔时代理想的电子器件沟道材料，但其宏量制备面临金属性与半导体性混合的挑战。研究目的是开发一种高效分离技术，以获得高纯度、少缺陷的长半导体碳纳米管。中国科学院物理研究所刘华平团队通过结合重复短时超声分散与凝胶色谱迭代分离的新技术，成功实现了超纯（>99.9999%）长（平均长度>430 nm）半导体碳纳米管的宏量分离。利用该材料制备的网络薄膜晶体管展现出卓越的电学性能，包括高开态电导率、高载流子迁移率和高开关比，为高性能碳基集成电路的发展提供了关键材料基础。