The Innovation | X射线吸收精细结构捕捉钪掺氮化铝局域晶格畸变

背景：Sc掺杂的AlN等III族氮化物半导体因显著提升的压电和铁电性能而在多个前沿领域具有应用潜力，但其性能关键——晶格畸变——长期缺乏量化研究。研究目的：本研究旨在利用X射线吸收精细结构（XAFS）技术，结合理论计算，定量揭示ScAlN中Sc掺杂引起的局域晶格畸变与对称性演化。结论：研究通过Sc K边XANES和EXAFS分析，证实Sc0.3Al0.7N中存在纤锌矿相向层状六方相过渡的晶格畸变态，并利用边前峰强度和配位数首次实现了对畸变程度的定量解析，为材料性能的精准设计与调控提供了方法与谱学基准。