Adv. Photon. | Ge+注入技术实现高性能光电检测

背景：在自校准可编程光子学发展中，片上功率监测器是关键反馈组件，但传统方案难以同时满足低损耗、高响应度等苛刻要求。研究目的：香港科技大学团队旨在通过Ge+离子注入技术，在硅波导中实现高性能、低扰动的宽带光电检测。结论：该技术成功在O/C波段实现了高响应度、低暗电流和低光学损耗的亚带隙线性探测，器件兼具低偏压监测与雪崩检测功能，与CMOS工艺兼容，为大规模可编程光子网络的实时反馈控制提供了关键硬件支持，并开辟了缺陷工程调控硅光电性质的新范式。