研究前沿：二维半导体MoS₂-邻位范德华外延生长 | Nature Electronics
今日新材料
2025-11-28 11:30
文章摘要
本文研究背景为过渡金属二硫属化物（如MoS₂）单层材料在二维载流子输运领域的潜力，但晶圆级尺度上实现相干二维输运仍存在晶格缺陷挑战。研究目的是通过邻位范德华外延生长技术，在蓝宝石衬底上调控晶粒合并动力学以最小化缺陷。研究结论表明，该方法成功制备出单晶MoS₂单层，器件展现出优异的量子相干输运特性，包括低温弱局域化、量子霍尔效应及高达1,200 cm² V⁻¹ s⁻¹的霍尔迁移率，场效应晶体管阵列在室温下也表现出接近理论极限的性能，为二维半导体应用提供了重要进展。
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