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本文针对二维过渡金属硫族化合物在集成电路应用中面临的金属-半导体接触电阻高和热稳定性差的问题，提出了一种创新的原子层键合工艺。研究背景指出传统范德华接触导致高隧穿势垒和界面粘附能低，限制了器件性能。研究目的在于通过选择性剥除硫原子形成金属-金属共格界面，降低接触电阻并提升热稳定性。结论显示该工艺实现了70 Ω·μm的低接触电阻、400 °C热稳定性和高饱和电流，解决了二维半导体工业化的关键瓶颈，具有广泛适用性。