剑桥大学，Science！

本文针对卤化物钙钛矿异质结构研究中存在的原子级控制难题展开研究。背景显示传统III-V族半导体依赖气相逐层外延技术实现精确控制，而钙钛矿因高卤化物离子迁移率难以实现类似控制。研究目的是开发气相逐层异质外延生长方法，以CsPbBr3在PeA2PbBr4单晶上的沉积为例，实现埃米级厚度控制和界面结构调控。研究结论表明该方法成功实现了从单层到块体结构的量子限制光致发光，通过界面终止结构调控实现了超过0.5电子伏特的能带偏移转变，在Type II异质结中观察到超过10微秒的电荷分离寿命，为钙钛矿超晶格光电器件奠定了基础。