Science Advances：全非晶氧化物CMOS集成电路

本研究针对氧化物半导体领域p型半导体性能不足的瓶颈问题，提出了一种创新的硫介导氧化还原策略。背景显示，n型氧化物半导体已成功应用，但p型氧化物因价带局域化和制备温度高而发展受限。研究目的在于通过低温工艺实现高性能p型碲氧化物薄膜晶体管。结论表明，该方法在120°C下制备的p沟道TFT空穴迁移率超10 cm²/Vs，开关比超10⁶，并成功构建了柔性全氧化物CMOS集成电路，包括反相器、环形振荡器及大规模功能电路，电压增益达1694，振荡频率339 kHz，弯曲测试后性能衰减小于1%，证明了该技术在高性能、低成本柔性电子中的广泛应用潜力。