Nano Letters: 铁电氮化物低温外延薄膜制备新方法

本文针对铁电氮化物AlScN薄膜在低温外延制备方面的挑战展开研究。背景方面，AlScN因其优异的铁电性能被视为下一代微电子器件的理想材料，但传统高温外延工艺无法满足半导体后端工艺的低温集成需求。研究目的旨在开发新型低温外延技术，通过射频氮等离子体辅助脉冲激光沉积（N-PLD）方法，在400°C条件下成功制备出高Sc含量（37%）的AlScN外延薄膜。结论表明，该方法有效抑制了氮空位形成和岩盐相杂质，获得了纯纤锌矿结构，剩余极化达160 μC cm-2，矫顽场降至2.9 MV cm-1，同时研究发现生长温度是调控漏电行为的关键因素，为BEOL集成提供了可行方案。