西安交大Nature Materials：无电阻漂移的非晶相变存储材料

本文针对相变存储器中非晶材料因结构弛豫导致的电阻漂移问题展开研究。背景是商用锗锑碲合金等相变材料在非晶相存在自发结构弛豫，造成电阻值随时间漂移，影响多值存储精度和类脑计算应用。研究目的是通过原子尺度机理分析，设计新型非晶合金以消除电阻漂移。结论表明团队开发的铬碲非晶合金CrTe3具有完美八面体局部结构，能从根本上抑制结构弛豫和电阻漂移，实验证实其在宽温区和反复操作下保持稳定性，并成功应用于多值存储和智能小车自动寻址系统，为高精度相变类脑器件提供了关键材料解决方案。