北京大学彭海琳教授团队等 Nat. Commun.：原位解析光刻胶微观行为并实现晶圆厂兼容的高分辨光刻

背景：光刻技术是半导体芯片制造的核心工艺，但光刻胶在显影液中的微观行为长期难以观测，成为制约先进制程良率提升的瓶颈。研究目的：通过冷冻电子断层扫描技术原位解析光刻胶在液相环境中的三维结构和动态行为，探究缺陷形成机理并开发产业化解决方案。结论：研究发现光刻胶聚合物倾向于吸附在气液界面并形成"凝聚缠结"，这些团聚体是图案缺陷的主要根源。基于此提出了通过调控曝光后烘烤温度和优化显影工艺的协同策略，使12英寸晶圆缺陷数量降低超过99%，为半导体制造提供了与现有产线兼容的高效解决方案。