新晋院士团队!西安交通大学,重磅Nature Materials!
顶刊收割机
2025-10-13 11:00
文章摘要
背景:神经形态计算通过电阻切换非易失性存储器阵列实现高效能计算,但材料编程的本征随机性导致电阻漂移问题,尤其在非室温环境下更为突出。研究目的:西安交通大学团队设计新型非晶CrTe₃相变材料,旨在消除结构弛豫引起的电阻漂移,实现宽温域稳定多级编程。结论:该材料在-200°C至165°C范围内表现出近乎零电阻漂移特性,通过器件集成验证了其在路径跟踪应用中的长期稳定性,为高精度相变神经形态计算提供了突破性解决方案。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。