仅半年!复旦大学「国家杰青」团队,连发4篇Nature、Science正刊,里程碑式突破!
高分子科学前沿
2025-10-09 07:05
文章摘要
本文聚焦二维电子器件工程化突破,背景是二维材料因其优异电子特性和范德华异质结构调控能力,被视为扩展硅技术潜力的关键,但面临CMOS表面粗糙度、封装损伤和跨平台兼容性三大挑战。研究目的是通过ATOM2CHIP技术实现全功能二维NOR闪存芯片,结合全栈片上工艺(包括共形粘附、模块化三维架构和二维友好封装)和跨平台系统设计(涵盖串扰抑制电路和兼容电压域),解决集成难题。结论显示,该芯片在0.13 µm CMOS平台上实现94.34%高良率,支持8位命令、32位并行和随机访问等功能,功耗低至0.644 pJ/位,为二维电子学应用化提供可行路径,推动信息技术发展。
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