外延生长,Nature!

研之成理 2025-10-05 15:40
文章摘要
本文研究背景聚焦于远程外延技术,该技术利用二维材料作为缓冲层实现薄膜外延生长,突破晶格匹配限制。研究目的是探究在2-7纳米厚非晶碳缓冲层条件下实现长程远程外延的机制,通过CsPbBr3/NaCl、KCl/KCl和ZnO/GaN等实验体系验证缺陷介导的远程相互作用。研究结论表明,衬底位错能产生长程静电相互作用,引导外延生长,在7纳米间距下仍能建立外延关系,为半导体材料加工提供了新调控手段。
外延生长,Nature!
查看文献: Long-distance remote epitaxy.
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