不同晶体质量与掺杂水平对SnO2和ZnO薄膜带隙能量的系统研究 | MDPI Electronic Materials

本研究系统探讨了不同晶体质量与掺杂水平对SnO2和ZnO薄膜带隙能量的影响。背景方面，金属氧化物半导体因优异电学光学性能被广泛应用于电子器件，但带隙测量结果因材料差异存在波动。研究目的通过制备不同退火温度（250-450°C）的薄膜，结合XRD、载流子浓度和光学测量，分析带隙测定方法。结论表明：载流子浓度通过Burstein-Moss效应和带隙重正化竞争显著影响带隙，晶体质量影响较小；传统Tauc方法会低估带隙，而基于半经典模型的Edir和Edop方法能更准确表征非抛物线性带边结构，为优化半导体光电性能提供理论依据。