西安交通大学：无漂移相变存储材料 | Nature Materials

背景：相变存储器利用硫族化合物非晶相与晶体相之间的电阻差异存储数据，但商用锗锑碲合金等材料的非晶相存在电阻随时间自发漂移的问题，影响多值编程精度和类脑计算应用。研究目的：西安交通大学团队旨在解析电阻漂移的原子机理，并设计新型相变材料以消除电阻漂移。结论：团队发现电阻漂移源于非晶局部结构缺陷和派尔斯畸变的演化，据此设计了铬碲非晶合金CrTe3，其结构弛豫弱且不引发能带变化，实验证实该材料在宽温区和多次操作后无电阻漂移，成功实现了稳定多值存储和类脑计算应用，为高精度相变器件提供了关键材料解决方案。