短程有序，Science！
研之成理
2025-10-02 08:23
文章摘要
本文研究背景聚焦于短程有序对多元材料性能的重要影响，特别是在半导体中调控电子特性的潜力。研究目的在于通过能量过滤电子显微镜和模拟技术，证实锗硅锡半导体中短程有序的存在并解析其原子结构。研究结论表明，Si-Ge-Sn三原子团是主导的短程有序模式，且通过平衡Si:Sn比例可促进其形成，这为能带工程提供了超越成分和应变调控的新途径。
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