超薄二维p型BiCuSeO薄膜的室温铁电性 | 进展

背景：随着电子器件小型化趋势，传统块体铁电材料面临尺寸效应限制，二维铁电材料因稳定自发极化特性成为研究重点。研究目的：针对p型二维铁电半导体缺失的问题，通过分子束外延技术制备超薄BiCuSeO薄膜并探究其铁电性。结论：3nm厚薄膜展现面外室温铁电性，铁电隧道结器件具有良好开关特性，为p-n结器件和铁电器件开发提供新材料基础。