(纯计算)德克萨斯大学奥斯汀分校Phys. Rev. Lett.: 带电缺陷散射的精确从头算方法

计算材料学 2025-09-21 18:04
文章摘要
背景:带电缺陷散射对材料性能具有重要影响,但传统方法因需假设未屏蔽电荷分布而存在精度限制。研究目的:德克萨斯大学奥斯汀分校团队开发新型第一性原理方法,精确计算二维MoS2中带电硫空位的散射行为。结论:研究发现带电缺陷在低温和低载流子浓度下呈现显著温度依赖性,颠覆了传统中性缺陷散射理论,为理解材料输运机制提供新范式。
(纯计算)德克萨斯大学奥斯汀分校Phys. Rev. Lett.: 带电缺陷散射的精确从头算方法
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Issue Publication Information
DOI: 10.1021/apv007i017_1982758 Pub Date : 2025-09-12
IF 4.7 2区 化学 Q2 ACS Applied Polymer Materials
计算材料学
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