(纯计算)德克萨斯大学奥斯汀分校Phys. Rev. Lett.: 带电缺陷散射的精确从头算方法
计算材料学
2025-09-21 18:04
文章摘要
背景:带电缺陷散射对材料性能具有重要影响,但传统方法因需假设未屏蔽电荷分布而存在精度限制。研究目的:德克萨斯大学奥斯汀分校团队开发新型第一性原理方法,精确计算二维MoS2中带电硫空位的散射行为。结论:研究发现带电缺陷在低温和低载流子浓度下呈现显著温度依赖性,颠覆了传统中性缺陷散射理论,为理解材料输运机制提供新范式。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。