华中科技大学，Nature Nanotechnology！

背景：忆阻器作为神经形态内存计算的关键元件，传统材料因离子迁移导致的丝状结构随机性和材料损伤问题，限制了其实际应用。研究目的：开发基于Sb₂O₃分子晶体的忆阻器，利用其范德华间隙实现可控离子迁移，以解决能耗高和耐久性差的问题。结论：该忆阻器单次操作能耗低至26 zJ，耐久性超10⁹次循环，成功实现8英寸晶圆制备和动态视觉识别100%准确率，为神经形态计算硬件提供革新方案。