研究前沿：华中科技大学 翟天佑，分子晶体忆阻器 | Nature Nanotechnology

背景：忆阻器作为存内计算的关键硬件，传统器件存在高能耗和耐久性不足的问题。研究目的：开发基于Sb2O3分子晶体的新型忆阻器，通过独特的分子笼结构实现低能垒离子迁移。结论：该器件实现26zJ/操作的超低能耗和10^9次循环耐久性，在8英寸晶圆上成功集成并实现100%动态视觉识别准确率，为神经形态计算提供新平台。