王彪教授团队惠均/刘敏等人欧陶 (JECS)：镁离子注入实现辐照SiC中无氦泡区的形成

背景：碳化硅（SiC）作为核能系统包壳材料候选，面临氦辐照导致氦泡形成、引发材料性能退化的问题。研究目的：通过镁离子注入与第一性原理计算相结合，探究调控SiC中氦泡行为的机制。结论：镁离子注入形成约468 nm的无氦泡区，有效抑制氦泡表层聚集，增强结构稳定性和抗辐照性能，为核能材料设计提供新思路。