(纯计算)新加坡国立大学ACS Nano: 异质双层铁电体中的竞争性极化

背景：铁电体在非易失性存储器和传感器中具有关键技术应用，但传统体系受限于面内极化或破坏性离子位移机制。面外极化作为更优方案受到关注，尤其二维材料因其结构灵活性和弱层间相互作用成为研究焦点。研究目的：通过高通量筛选和多尺度物理模型，识别具有强面外极化和低滑移势垒的半导体异质双层铁电体，并揭示其极化竞争机制。结论：研究筛选出43种性能优异的异质双层铁电体，其中CdO/InN的面外极化比MoS2/WS2大近50倍且势垒低至35 meV/f.u.，同时建立了单层特性与滑移铁电响应的物理关联模型，为下一代低功耗器件提供了材料库和理论基础。