【Acta Materialia】武汉大学&南方科技大学: 原子尺度模拟揭示β相氧化镓表面抗辐射损伤的晶面依赖性机制

计算材料学 2025-09-08 11:19
文章摘要
背景:β相氧化镓因其超宽禁带和优异抗辐射性能,在航空航天等领域具有应用潜力,但不同晶面抗辐射损伤机制尚不明确。研究目的:通过原子尺度模拟揭示氧化镓四个主要晶面(100)、(010)、(001)、(-201)的辐照损伤缺陷演化规律。结论:(010)晶面存在沟道效应使缺陷深入材料内部但易恢复,(100)、(001)、(-201)晶面缺陷集中于表层但更难恢复,反位缺陷GaO是辐照损伤中的重要组成部分,研究为抗辐射器件设计提供原子级理论指导。
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