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高分子科学前沿
2025-08-30 10:35
文章摘要
背景:黑磷因其可调带隙和优异电学与光学性能被视为下一代电子器件的理想材料,但少层二维黑磷的合成仍具挑战。研究目的:通过声化学剥离法制备高质量、窄宽度、边缘平滑的黑磷纳米带,并探究其电学与光电性能。结论:该方法成功制备出宽度低至1.5 nm的纳米带,基于13 nm宽纳米带的场效应晶体管表现出高达1.7×10⁶的开关比和1506 cm²V⁻¹s⁻¹的迁移率,光电探测器在1550 nm激光下响应度达11.2 A/W,展现出在一维纳米电子和光电器件中的应用潜力。
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