清华化学系团队合作开发出理想的极紫外（EUV）光刻胶材料
化学谷
2025-08-25 09:00
文章摘要
背景：随着集成电路工艺向7nm及以下节点推进，极紫外（EUV）光刻成为先进芯片制造核心技术，但EUV光源特性对光刻胶材料提出更高挑战。研究目的：清华大学化学系团队旨在开发一种能同时满足高EUV吸收、高能量效率、分子尺度均一性和小构筑单元四大理想标准的新型光刻胶材料。结论：团队成功开发出基于聚碲氧烷（PTeO）的单组分光刻胶，通过碲元素的高吸收特性和Te─O键主链断裂机制，实现了灵敏度提升和缺陷控制，为下一代EUV光刻材料提供了创新设计策略。
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