理化所李嫕/陈金平&化学所杨国强: 新型非化学放大型光刻胶

背景：随着半导体器件特征尺寸缩小至20纳米以下，传统化学放大光刻胶因酸扩散问题导致图案线边缘粗糙度变差。研究目的：开发新型非化学放大型光刻胶（X-SEPS），通过取代基调控溶解行为以实现高分辨率光刻。结论：H-SEPS光刻胶在电子束光刻中实现18纳米密集线条和10纳米半密集线条，极紫外光刻达22纳米，证实取代基主要通过影响显影溶解行为而非键能来决定光刻性能，为高分辨光刻胶设计提供新方向。