华科韩一波/罗家俊Nature子刊 | 低维铯铜卤化物中自旋极化的自陷激子！

本文介绍了华中科技大学韩一波教授、罗家俊教授及瑞典林雪平大学高峰教授等研究者在零维铯铜卤化物（Cs₃Cu₂I₅）中发现的自旋极化自陷激子（STE）。研究背景是传统稀释磁性半导体（DMS）量子点因激子波函数与磁性离子空间重叠有限，导致自旋-激子耦合弱且发光效率低。研究目的是利用自陷激子的原子尺度局域特性解决这一问题。研究结论表明，在零维Cs₃Cu₂I₅晶格中，光激发诱导Cu⁺→Cu²⁺转换触发J-T畸变，使Cu²⁺自旋与STE强耦合，同时避免非辐射能量转移，为高性能自旋光子器件提供新平台。