武汉理工大学最新二维钙钛矿横向异质结AFM：无滞回、高迁移率晶体管的新纪录

本文介绍了武汉理工大学刘勇教授团队在二维钙钛矿横向异质结研究中取得的突破性进展。针对钙钛矿材料因卤素离子迁移导致的器件稳定性问题，研究团队提出“B位Sn合金化”策略，在(PEA)₂Pb₁₋ₓSnₓBr₄-(PEA)₂PbI₄横向异质结中引入适量Sn²⁺，有效解决了离子迁移、能带匹配及载流子输运三大难题。通过实验与DFT计算，团队发现当Sn掺杂量为30%时，Br⁻迁移势垒显著提高，且Sn 5p轨道引入使价带顶下移，增强了Sn–Br键。基于该异质结的p型FET器件表现出优异的性能，包括高迁移率、高开关比和几乎无回滞现象，为柔性电子与光电集成芯片提供了新的材料平台。