Nature Nanotechnology：超宽带、低功率响应、零偏置：基于SnTe薄膜的非线性霍尔整流器

本文介绍了基于SnTe薄膜的非线性霍尔整流器的研究进展。背景方面，传统肖特基整流器在高频段和低功率条件下效率受限，而非线性霍尔效应因其超宽带、低功率响应和无须外加偏置的优势成为潜在替代方案。研究目的是通过可集成化的SnTe薄膜实现高性能非线性霍尔效应整流器。研究结果表明，SnTe（001）薄膜在室温下表现出显著的反演对称性破缺，二阶电导率高达0.004 Ω⁻¹V⁻¹，整流器最低可检测功率低至-60 dBm，并在MHz至THz频段展现出优异的响应能力。结论指出，该成果突破了现有技术瓶颈，为新一代自供能电子器件提供了重要基础。