武汉理工大学刘勇团队最新AFM：二维钙钛矿横向异质结稳定性&晶体管性能提升！

本文研究了二维卤化物钙钛矿横向异质结的稳定性与晶体管性能提升问题。研究背景指出，二维卤化物钙钛矿因其可调的量子阱结构和优异的光电性能被视为下一代柔性电子与片上光电集成的关键材料，但其软晶格特性易导致卤素空位和离子迁移问题，限制了实用化进程。研究目的是通过Sn掺杂策略解决离子迁移问题并优化能带与载流子输运。研究结论表明，25-30% Sn掺杂可显著提高Br⁻迁移势垒，抑制离子迁移，同时优化能带结构和电荷输运性能，使FET器件实现了高迁移率和近零滞回特性，为高稳定性、高迁移率钙钛矿电子/光电子芯片的构建提供了材料与物理基础。