加州伯克利/北大合作，最新Nature Materials！

本文报道了一种以二氧化钒 (VO₂) 为核心的高速“记忆-传感器”（memsensor），通过德拜长度内的表面离子迁移实现记忆传感。研究背景是水相中流动离子形成的德拜屏蔽效应将电场局限在纳米级的德拜长度内，迫使现有器件依赖外加电压，拖慢响应速度并增加设计与封装复杂度。研究目的是突破这一物理瓶颈，在无偏压条件下实现高速感知与记忆，为发展仿生神经器件与水下机器人提供解决方案。研究结果表明，该器件在零偏压下实现 ≈1 Hz 切换，模拟了秀丽隐杆线虫 C. elegans 味觉神经元的可塑性，并成功驱动微型船完成自适应趋化，为低功耗水下神经机器人奠定材料基础。