超宽带氮化硼hBN 光子忆阻器/二维材料 | Nature Nanotechnology
今日新材料
2025-08-03 11:30
文章摘要
本文介绍了一种基于晶圆级hBN/Si异质结构的光子忆阻器阵列的开发。背景方面,现有的光子忆阻器存在光谱响应范围窄和工作模式单一的问题。研究目的是通过原位低温条件下在硅基衬底上生长均匀的六方氮化硼薄膜,开发出具有宽光谱光控可重构特性的光子忆阻器。该器件能够在无阻变、易失性和非易失性三种模式间动态切换,具有高开关比、长保持时间和良好的热稳定性。结论表明,这种光子忆阻器为开发与硅基半导体技术兼容的"传感-存储-计算"一体化人工视觉系统提供了可扩展的解决方案。
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